گزینه‌هایی که در و قرار می‌گیرند، به ترتیب نشان دهنده گزینه‌های کاملاً بهتر و کاملاً بدتر هستند.
مرحله ۶ : محاسبه فاصله گزینه‌ها از حل ایده‌آل و ضد ایده‌آل
فاصله گزینه‌ها از حل ایده‌آل و ضد ایده‌آل به ترتیب بصورت زیر بدست می‌آید:
(۳-۱۷)
مرحله ۷ : محاسبه شاخص شباهت
شاخص شباهت بصورت زیر بدست می‌آید:
(۳-۱۸)
مقدار شاخص شباهت بین صفر و یک تغییر می‌کند. هر چه گزینه مورد نظر به ایده‌آل مشابه‌تر باشد، مقدار شاخص شباهت آن، به یک نزدیک‌تر خواهد بود. کاملاً روشن است که اگر گزینه‌ای بر گزینه ایده‌آل منطبق باشد، آنگاه فاصله آن تا حل ایده‌آل مساوی صفر و شاخص شباهت آن مساوی یک خواهد بود و در صورتی که گزینه‌ای بر گزینه ضد ایده‌آل منطبق باشد، آنگاه فاصله آن تا حل ضد ایده‌آل مساوی صفر و شاخص شباهت آن مساوی صفر خواهد بود.
مرحله ۸ : رتبه‌بندی گزینه‌ها
برای رتبه‌بندی گزینه‌ها براساس مقدار شاخص شباهت، گزینه‌ای که دارای بیشترین شاخص شباهت است، در رتبه اول و گزینه‌ای که دارای کمترین شاخص شباهت است، در رتبه آخر قرار می‌گیرد.

( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

فصل چهارم
تجزیه و تحلیل داده ها
۴-۱- مقدمه
تجزیه و تحلیل داده‌ها فرآیندی چند مرحله‌ای است که طی آن داده‌هایی که از طریق بکارگیری ابزارهای جمع‌ آوری در نمونه آماری فراهم آمده‌اند، خلاصه، کدبندی و دسته بندی و در نهایت پردازش می‌شوند تا زمینه برقراری انواع تحلیل‌ها و ارتباط‌ها بین این داده‌ها به منظور آزمون فرضیه‌ها فراهم آید. در واقع تحلیل اطلاعات شامل سه عملیات اصلی می‌باشد: شرح و آماده‌سازی داده‌های لازم برای آزمون فرضیه‌ها، تحلیل روابط میان متغیرها و در نهایت مقایسه نتایج مشاهده شده با نتایجی که فرضیه‌ها انتظار داشتند. در این فرایند داده‌ها هم از لحاظ مفهومی و هم از لحاظ تجربی پالایش می‌شوند و تکنیک‌های گوناگون آماری نقش بسزایی در استنتاج‌ها و تعمیم‌ها به عهده دارند.
در این فصل، ابتدا مشخصات جمعیت شناختی پاسخ دهندگان و پاسخ‌های آنها به این سوالات بررسی می‌شود. جداول فراوانی مربوط به مشخصات جمعیت شناختی پاسخ دهندگان تشکیل یافته و نمودارهای فراوانی مربوطه رسم می‌شود. سپس داده‌های بدست آمده از سوالات تخصصی پرسشنامه از نظر فراوانی و درصد تجزیه و تحلیل می‌شود و به کمک آنها و با بهره گرفتن از آزمون‌های آماری درستی فرضیه‌های تحقیق بررسی می‌شود. سپس با بهره گرفتن از روش تاپسیس، موانع توسعه صادرات در شرکت‌های هلدینگ براساس مدل الماس رقابت ملی مایکل پورتر رتبه‌بندی می‌شوند.
۴-۲- بررسی پاسخ‌های پاسخ دهندگان به سوالات جمعیت شناختی
سن : جدول و نمودار فراوانی سن پاسخ دهندگان بصورت زیر می‌باشد. ۶/۵۱ درصد پاسخ دهندگان سن‌شان بیشتر از ۵۱ سال، ۳/۳۲ درصد آنها سن‌شان بین ۳۱ تا ۴۰ سال و ۵/۱۴ درصد آنها سن‌شان بین ۴۱ تا ۵۰ سال بودند.
جدول ۴-۱ : جدول فراوانی سن پاسخ دهندگان

سن

فراوانی

درصد فراوانی نسبی

۳۰ سال و کمتر
۳۱ تا ۴۰ سال
۴۱ تا ۵۰ سال
۵۱ سال به بالا

۱
۲۰
۹
۳۲

۶/۱
۳/۳۲
۵/۱۴
۶/۵۱

کل

۶۲

۱۰۰

نمودار ۴-۱ : نمودار فراوانی سن پاسخ دهندگان
میزان تحصیلات : جدول و نمودار فراوانی میزان تحصیلات پاسخ دهندگان بصورت زیر می‌باشد. ۸/۵۴ درصد پاسخ دهندگان مدرک فوق لیسانس و بالاتر، ۳/۴۰ درصد آنها مدرک لیسانس و ۸/۴ درصد آنها مدرک فوق دیپلم داشتند.
جدول ۴-۲ : جدول فراوانی میزان تحصیلات پاسخ دهندگان

منابع و مآخذ 87
پیوست ها 91
فهرست جداول
عنوان صفحه
جدول 1-1 تعریف عملیاتی متغیر خدمات اتوماسیون 11
جدول 1-2 تعریف عملیاتی متغیر رضایت مشتریان 11
جدول 3-1 توزیع سوالات پرسشنامه 57
جدول 3-2 آلفای کرونباخ متغیرهای پرسشنامه 59
جدول 4-1: جنسیت مشتری 63
جدول 4-2: سن مشتری 64
جدول 4-3: تحصیلات مشتریان 65
جدول 4-4: شغل مشتری 66
جدول 4-5: محل سکونت مشتری 67
جدول 4-6: وضعیت تاهل مشتری 68
جدول 4-7: آمار توصیفی متغیر خدمات اتوماسیون و مؤلفه هایش (N=270) 69
جدول 4-8: آمار توصیفی متغیر رضایت کلی (N=270) 71
جدول 4-9: میانگین و انحراف معیار پاسخ به سوالات 72
جدول 4-10: همبستگی پیرسون فرضیه اصلی 73
جدول 4-11: همبستگی پیرسون راحتی و رضایت کلی 74
جدول 4-12: همبستگی پیرسون مدیریت صف و رضایت کلی مشتریان 75
جدول 4-13: همبستگی پیرسون شخصی سازی و رضایت کلی مشتریان 75
جدول 4-14: همبستگی پیرسون پاسخگویی و رضایت کلی مشتریان 76
جدول 4-15: همبستگی پیرسون ایمنی و رضایت کلی مشتریان 77
جدول 4-16: نتایج رتبه بندی آزمون دبلیو کندال 78
جدول 5-1: خلاصه نتایج آمار توصیفی داده های جمعیت شناختی مشتریان شرکت کننده 81
جدول 5-2: نتایج فرضیه های تحقیق 83
فهرست نمودارها
عنوان صفحه
نمودار 2-1 چرخه مجازی ارتباط بین سازمان و مشتری 32
نمودار 2-2 پیوند بین کارکنان، مشتریان و استراتژی در سازمان 33
نمودار 2-3 چرخه خدمت مطلوب به مشتری 34
نمودار 2-4 دیاگرام سنجش رضایت مشتریان 42
نمودار 4-1: نمودار ستونی جنسیت مشتریان 63
نمودار 4-2: نمودار ستونی سن مشتریان 64
نمودار 4-3: نمودار ستونی تحصیلات مشتریان 65
نمودار 4-4: نمودار ستونی شغل مشتریان 66
نمودار 4-5: نمودار ستونی محل سکونت مشتریان 67
نمودار 4-6: نمودار ستونی وضعیت تاهل مشتریان 68
نمودار 4-7: هیستوگرام توزیع نرمال متغیر خدمات اتوماسیون 70
نمودار 4-8: هیستوگرام توزیع نرمال متغیر رضایت کلی 71
فهرست اشکال
عنوان صفحه
شکل 1-1 طرح جامع اتوماسیون اداری در سازمان تامین اجتماعی (وب سایت سازمان تامین اجتماعی) 4
شکل 1-2 مدل نظری تحقیق 9
شکل 2-1 ساختار سازمانی دایره ای 40
شکل 2-2: مدل شاخص رضايت مشتري سوئدي 43
شکل 2-3: شاخص رضایت مشتری آمریکایی 45
شکل 2-4: شاخص رضایت مشتری اروپایی 46
شکل 2-5: شاخص ملی رضایت مشتری پیشنهادی جانسون و دیگران برای نروژ 48

( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

حجم کل مبادلات کالا با جهان

۷۲۷ میلیارد دلار

۲۷۵/۲ تریلیون دلار

۵۴۷/۱ تریلیون دلار

۸۲۲/۳ تریلیون دلار

این در حالیست که حجم کل مبادلات تجاری چین با جهان به ۳ تریلیون و۸۷۰ میلیارد دلار در سال ۲۰۱۲ رسید و از آمریکا پیشی گرفت. میزان واردات چین در سال ۲۰۱۲ بالغ بر ۱ تریلیون و ۸۲۰ میلیارد دلار و میزان صادرات آن ۲ تریلیون دلار بوده است. مازاد تجاری چین بالغ بر ۲۳۱ میلیارد دلار است.
چین:

مازاد تجاری

صادرات

واردات

حجم کل مبادلات کالا با جهان

۲۳۱ میلیارد دلار

۰۵۰/۲ تریلیون دلار

۸۲۰/۱ تریلیون دلار

۸۷۰/۳ تریلیون دلار

۵-۵-۳-۲. روابط اقتصادی آمریکا با اتحادیه آسه آن
آسه آن پنجمین شریک مهم تجاری برای آمریکا است. در طول۲۰ سال گذشته حجم تجارت آمریکا با کشورهای این اتحادیه سه برابر شده و از ۹/۴۵ میلیارد دلار در سال ۹۰ به ۲۳۰ میلیارد دلار در سال ۲۰۱۲ رسیده است. بزرگترین شرکای صادراتی آمریکا این در منطقه، سنگاپور، مالزی، تایلند و فیلیپین هستند. واردات آمریکا از این منطقه به نسبت صادرات رشد بیشتری هم داشته است. واردات از مالزی در طول ۲۰ سال گذشته ۵ برابر شده و به ۷/۳۸ میلیارد دلار رسیده است. سنگاپور و تایلند نیز دیگر منابع وارداتی مهم آمریکا محسوب می شوند. همچنین ویتنام صادراتش به آمریکا با رشد ۸۰ برابری از ۱۹۹ میلیون دلار در سال ۱۹۹۵ به ۹/۲۴ میلیارد دلار در سال ۲۰۱۲ رسیده و جایگاه پنجم بین کشورهای منطقه در صادرات به آمریکا را بعد از مالزی، تایلند، سنگاپور و اندونزی داراست( ۱۳۹۲: ص۳۵۹).
(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت nefo.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

میزان سرمایه گذاری مستقیم آمریکا در این اتحادیه تا سال ۲۰۱۲ به ۱۹۰ میلیارد دلار رسید که نسبت به سال ۲۰۱۱ (به میزان ۱۵۹ میلیارد دلار)، حدود ۲/۱۶ درصد رشد داشته است. آسه آن متشکل از ۱۰ کشور ( برونئی، برمه، کامبوج، اندونزی، لائوس، مالزی، فیلیپین، سنگاپور، تایلند و ویتنام) با بازاری ۶۲۰ میلیون نفری است. در سال ۲۰۱۲ آمریکا و آسه آن ترتیبات E3 ^[۶۷] موسوم به تعهد به گسترش همکاریهای اقتصادی جهت ارتقای روابط تجاری و توسعه سرمایه گذاری و ایجاد فرصتهای شغلی را بین دو طرف ایجاد کردند. پیش از این در سال ۲۰۰۶ نیز طرفین توافقنامه ترتیبات تجاری و سرمایه گذاری موسوم به TIFA^[68] جهت رفع موانع تجاری و تسهیل تجارت و شفاف سازی قوانین تجاری را به امضا رسانده بودند(Fact Sheet, October 2013)
جدول ذیل مناسبات اقتصادی آمریکا و کشورهای عضو آسه آن را به تصویر کشیده است(fact sheet, octobber 2013):

نام کشور

میزان جمعیت

GDP
(میلیون دلار)

رشد سالانه GDP

حجم تجارت با آمریکا ۲۰۱۲

۱

اندونزی

۲۴۸ میلیون نفر

۷۳۸/۲۱۶/۱

۲/۶ درصد

۲۶ میلیارد دلار

۲

گسیل تابش الکترومغناطیسی (تابش ترمزی)

هر ذره باردار فرودی که شتابش در محیط در اثر تغییر مسیر ناشی از برهمکنش کولنی کاهش یابد، بخشی از انرژی جنبشی خود را با گسیل تابش الکترومغناطیسی از دست می‌دهد که به آن تابش ترمزی گویند. طیف گسیلی تابش ترمزی یک طیف پیوسته است که از صفر تا بیشینه‌ی انرژی جنبشی ذره را دربرمی گیرد.ذره‌ی با بار ze و جرم M را در نظر بگیرید که درون ماده‌ای با عدد اتمی Z حرکت می‌کند. با توجه به نیروی کولنی بین ذره باردار و هسته ماده هدف و شتاب ذره باردار فرودی ، شدت تابش گسیل شده از عبارت
(۲-۱)
به دست می‌آید که نشان‌دهنده‌ی این موضوع است که تابش برای ذرات باردار سبک مانند الکترون و پوزیترون در محیط با عدد اتمی بالا قابل توجه است. لذا برای الکترون و پوزیترون که با انرژی جنبشی T در ماده‌ای با عدد اتمی Z حرکت می‌کنند اتلاف انرژی ناشی از گسیل تابش ترمزی برحسب اتلاف انرژی یونشی و برانگیزشی با رابطه زیر داده می‌شود،

( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

(۲-۲)
این رابطه کسری از اتلاف انرژی در ماده را نشان می‌دهد که به‌صورت تابش ترمزی نمایان می‌شود. کل انرژی که به‌صورت تابش ترمزی گسیل می‌شود برحسب MeV برابر است با:
(۲-۳)

برهمکنش فوتون با ماده

فوتون‌ها یا به عبارتی پرتوهای ایکس و ، تابش الکترومغناطیسی هستند که گستره‌ی انرژی آن‌ها از چند keV تا چند MeV می‌باشد.تنها تفاوت بین آن‌ها از منشأ تولید این پرتوهاست، پرتو منشأ هسته‌ای و پرتو X منشأ اتمی دارد به‌طوری که از واانگیزش الکترون‌های لایه داخلی اتم‌ها پرتو X مشخصه گسیل می‌شود که طیف گسسته‌ای دارند، همچنین از شتاب دادن ذرات باردار سبک مانند الکترون، پرتوهای X ترمزی گسیل می‌شود که انرژی آن‌ها می‌تواند تا چند صد MeV نیز باشد. از سوی دیگر واپاشی یک حالت انرژی برانگیخته هسته‌ای به حالت پایه‌ی خود منجر به گسیل پرتوی گاما می‌شود که گستره‌ی انرژی آن از چند keV تا چند MeV است.
در این پایان‌نامه سه مورد از مهم‌ترین برهمکنش‌های فوتون با ماده را مورد بررسی قرار می‌دهیم که عبارت‌اند از : اثر فوتوالکتریک، پراکندگی کامپتون و تولید زوج که هریک به‌اختصار شرح داده می‌شود.

اثر فوتوالکتریک

اثر فوتوالکتریک برهمکنشی است که در آن فوتون گامای فرودی ناپدید می‌شود. در این حالت یک فوتوالکترون از یکی از پوسته‌های الکترونی اتم جاذب با انرژی جنبشی برابر با انرژی فوتون فرودی hf منهای انرژی بستگی الکترون در پوسته‌ی الکترونی (E_b) آزاد می‌شود [۴]. این فرایند در شکل ‏۲‑۲ نشان داده‌شده است. در این فرایند، انرژی بستگی یا به شکل پرتوهای ایکس مشخصه یا به شکل الکترون اوژه آزاد می‌شود.در اتم ید، در ۸۸ درصد موارد پرتوی ایکس مشخصه گسیل می‌شود.شکل ‏۲‑۲: اثر فوتوالکتریک [۴]
نتیجه جذب فوتوالکتریک، آزاد شدن یک فوتوالکترون است که بیشترین بخش از انرژی فوتون فرودی را حمل می‌کند و یک یا چند الکترون کم انرژی که متناظر با جذب انرژی بستگی فوتوالکترون هستند. در اندازه‌گیری مربوط به گامای تک انرژی، انرژی جنبشی کل الکترون همواره ثابت و برابر انرژی فوتون گامای فرودی است (شکل ‏۲‑۳).
شکل ‏۲‑۳: تک قله با انرژی جنبشی کل متناظر با انرژی پرتوی گامای فرودی

پراکندگی کامپتون

پراکندگی کامپتون برخوردی است بین یک فوتون و یک الکترون نامقید و آزاد. چون الکترون‌های لایه‌های خارجی اتم بستگی از مرتبه‌ی eV دارند و انرژی فوتون در گستره‌ی keV تا MeV است، الکترون را می‌توان تقریباً آزاد در نظر گرفت [۴]. در اثر این برهمکنش فوتون ناپدید نمی‌شود بلکه انرژی آن به مقدار معینی کاهش یافته و راستای حرکت آن تغییر می‌کند. رابطه‌ی بین زاویه‌ی پراکندگی پرتوی گاما و انرژی گامای پراکنده‌شده به‌صورت زیر است:
(۲-۴)
که در آن E_‘ انرژی گامای پراکنده شده و زاویه‌ی انحراف پرتوی گاما می‌باشد. انرژی از دست رفته پرتوی گاما به الکترون داده می‌شود. اگر زاویه‌ی پراکندگی ۱۸۰ درجه باشد بیشترین انرژی به الکترون کامپتون داده می‌شود. این انرژی معادل انرژی لبه کامپتون در طیف ارتفاع تپ است و با قرار دادن در رابطه‌ی فوق به‌صورت زیر درمی‌آید(۲-۵)احتمال وقوع پراکندگی کامپتون را سطح مقطع کامپتون یا ضریب کامپتون می‌گوییم. شکل ‏۲‑۴ وابستگی سطح مقطع کامپتون (σ) را به عدد اتمی محیط و انرژی پرتوی گاما نشان می‌دهد.الفبشکل ‏۲‑۴: وابستگی سطح مقطع کامپتون به (الف) عدد اتمی ماده پراکننده و (ب) انرژی فوتون فرودی [۲]طبق شکل‌های بالا احتمال پراکندگی کامپتون تابعی است از انرژی فوتون و با افزایش انرژی کاهش می‌یابد اما در گستره‌ی وسیعی مستقل از Z است. در هر انرژی گاما، توزیع انرژی الکترون یک ‌شکل کلی خواهد داشت که در زیر نشان داده‌شده است (لبه کامپتون
پیوستار کامپتون
شکل ‏۲‑۵).

شکل ‏۲‑۵: توزیع انرژی الکترون مربوط به پدیده­ کامپتون [۴]

تولید زوج

سومین برهمکنش مهم پرتوهای گاما تولید زوج است. براثر این برهمکنش یک فوتون نابود می‌شود و یک زوج الکترون-پوزیترون خلق می‌شود. برای خلق یک زوج الکترون-پوزیترون حداقل m₀c²2 انرژی لازم است، برای اینکه برهمکنش به لحاظ انرژی امکان‌پذیر باشد، حداقل انرژی پرتوی گاما باید m₀c²2 باشد. پایستگی انرژی ایجاب می‌کند که:(۲-۶)
از این معادله پیداست که یک انرژی آستانه برای این رویداد وجود دارد که برابر است با مجموع انرژی‌های سکون الکترون و پوزیترون. هنگامی که پوزیترون خلق شده در ماده با یک الکترون نابود می‌شود حاصل آن دو پرتوی گامای MeV511/0 است.
احتمال وقوع پدیده‌ی تولید زوج را سطح مقطع تولید زوج ()می‌گویند که تابعی است از انرژی فوتون تابشی و عدد اتمی محیط جاذب. شکل ‏۲‑۶ وابستگی سطح مقطع تولید زوج را به Z و E نشان می‌دهد. همان‌طور که ملاحظه می‌شود تولید زوج یک انرژی آستانه دارد [۲].MeV 022/1الف
ب
شکل ‏۲‑۶: وابستگی سطح مقطع تولید زوج به (الف) عدد اتمی ماده پراکننده و (ب) انرژی فوتون فرودی

اصول پایه در آشکارسازی تابش

هنگامی که تابش یوننده از محیط آشکارساز می‌گذرد به‌موجب سازوکارهای اتلاف انرژی، موجب تغییراتی در ماده می‌شوند. این تغییرات شامل یونش و برانگیزش ماده به‌صورت مستقیم یا غیرمستقیم می‌باشد. سیستم یک آشکارساز متشکل از یک محیط حساس به تابش و یک الکترونیک وابسته به آن است. سیستم به نحوی طراحی می‌شود که بتواند این اثرات تابش را به‌صورت یک علامت الکتریکی، به‌عنوان پاسخی از آشکارساز دریافت کند و سپس آن را توسط الکترونیک مربوطه تحلیل و پالس نهایی را در حافظه خود ذخیره کرده و یا در صفحه نمایش ظاهر کند.

• میکرو محرک‌ها (مانند میکرو کلیدها^[۳۶]، میکرو موتورها^[۳۷]، میکرو پمپ‌ها ^[۳۸]و …).

۱-۶ تکنیکهای میکروماشینکاری
میکروسنسورهاومحرک هابابه کارگیری تکنیکهای میکروماشینکای که درصنعت میکروالکترونیک به خوبی شناخته شده اند، ساخته میشوند.میکرومحرک ها ی سه بعدی درساختارهای پلیمری میتوانندبااستفاده ازاستریولیتوگرافی روی انواع پلیمرهای مخصوص به دست آیند. میکروماشینکاری سیلیکون یک فاکتورکلیدی برای پیشرفتهای وسیع MEMSدردهه گذشته بوده است. میکروماشینکاری سیلیکون به ساخت قطعات مکانیکی میکروسکوپی بیرون ساختارسیلیکونی ویاروی ساختارسیلیکونی وبه تازگی مواددیگر اطلاق می شود.این تکنیک برای ایجادساختارهایی ازقبیل تیرهای مقید، پوسته ها، تیرهای یک سرگیردار، شیارها، گلوییها، فنرها، چرخ دنده ها وآونگها و… استفاده میشود.اینها میتوانندبرای ایجاد سنسورهای گوناگون مونتاژشوند.اخیراً ژاپنیها یک اتومبیل میکروماشینکاری شده کامل رانمایش داده اند که برای دقایق زیادی کارمیکند. میکروماشینکاری سیلیکون شامل دوتکنولوژی زیر میباشد:

( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

• میکروماشینکاری حجمی(bulk micromachining) : درساختارهایی که درون زمینه سیلیکونی اچ شده اند.

• میکروماشینکاری سطحی(surface micromachining) : درلایه های مکانیکی که ازلایه ها وفیلمهای ته نشین شده روی سطح شکل داده شده اند

۱-۶-۱ میکروماشینکاری حجمی
این روش یکی از روش های عمومی و کاربردی میکروماشینکاری است. این تکنیک ازاوایل دهه ۱۹۶۰ پدیدارشدوازآن وقت درساخت ریزساختارهای مختلف استفاده گردید. اینفن درساخت اکثروسایل تجاری شامل تقریباتمام سنسورهای فشاروشیرهای سیلیکونی ونوددرصدشتاب سنج های سیلیکونی استفاده شده است. اصطلاح میکروماشینکاری حجمی از این واقعیت ناشی میشود که این روش برای ایجاد ساختارهای میکرومکانیکی در داخل یک لایه سیلیکون کریستالی به کار میرود که این عمل توسط باربرداری دلخواه (اچ کردن) در ماده انجام میشود . تکنیک میکروماشینکاری حجمی قادر به باربرداری به میزان لازم از یک ساختار سیلیکونی هست که برای شکل دهی ساختارهای مکانیکی سه بعدی بکار میرود مانند : پوسته ها، سوراخ ها و غیره . (شکل ۱-۱۰)

شکل (۱-۱۵) انواع ساختارهای میکروماشینکاری حجمی

ریزساختارهای ساخته شده بااستفاده ازمیکروماشیکاری حجمی ممکن است محدوده ضخامت اززیر یک میکرون تاضخامت ویفرکامل(µm500-µm200) ومحدوده اندازه جانبی اززیریک میکرون تااندازه های جانبی یک ویفرکامل راپوشش دهد. فن میکروماشینکاری حجمی باتوجه به اچ کننده هامیتواندبه دوبخش اچ کردن خشک واچ کردن خیس سیلیکون تقسیم بندی شود.اچ کننده های مایع، که تقریباً یه طورانحصاریروی محلولهای شیمیایی جواب میدهند، برای اچ کردن خشک به کارمیروند. اچ کننده های بخاروپلاسمانیزبرای اچ کردن خشک به کارمیروند.برای اچ کردن لایه سیلیکون باضخامت یکنواخت، اچ کننده خیس غیرهمسان مانندمحلول هیدروکسیدپتاسیم(KOH) ، اتیلین دی آمین، تترامتیل آمونیوم هیدروکسید(TMAH)وچندنوع ماده دیگراستفاده میشود.این اچ کننده هادرجهات کریستالی مختلف سیلیکون نرخ برداشت متفاوتی دارند.اچ کردن خیس دراغلب موارد ازطرف پشت ویفرانجام میشود درحالیکه اچ کردن پلاسما ازطرف جلوعملی میباشد.درسالهای اخیر، یک تکنیک شناخته شده میکروماشینکاری حجمی دیواره ای عمود باعنوانSCREAM، که ترکیب اچ کردن همسان وغیرهمسان پلاسما میباشد، استفاده شده است.فرآینداچ کردن میتواند به طور انتخابی به وسیله استفاده ازمایع اچ کاری شیمیایی زیاد و اچ کردن آرام باشد یامیتواند به طورالکتروشیمیایی کنترل شود(برای مثال توقف اچ کردن در بالای برخوردیک ناحیه باقطبیت مختلف دریک اتصال برپایه p-n). ناحیه ای که اچ کردن خیس درآن تمایل به آهسته شدن داردویاکم میشود etch-stopنامیده میشود. (شکل۱-۱۶)

شکل (۱-۱۶) میکروماشینکاری سیلیکون حجمی(الف) اچ کاری همسان(ب) اچ کاری غیرهمسان (ج) اچ کاری غیرهمسان همراه بالایه متوقف کننده etch-stop(د)غشاء برداشته شده بااچ کاری ازپشت (ه) اچ کاری خیس (ی)اچ کاری خشک

با اینکه میکروماشینکاری حجمی یک تکنیک کاملی است ولی چند محدودیت نیز دارد. به عنوان مثال صفحات کریستالوگرافی (Crystallographic) لایه،حداکثر نرخ باربرداری قابل حصول را تعیین می کنند. نرخ های بالاتر می توانند نیازمند اندازه های بزرگتر در مقایسه با سایر تکنیک های میکروماشینکاری باشند. همچنین به دست آوردن ساختارهای پیچیده توسط تکنیک حجمی مشکل تر است.
۱-۶-۲ میکروماشینکاری سطحی
بر خلاف روش حجمی در روش سطحی هیچگونه باربرداری از حجم سیلیکون انجام نمی شود، درعوض به وسیله ته نشین کردن (روکش دادن)فیلمهای نازکی ازلایه های عایق ولایه های ساختاری وبا برداشتن قسمتی ازلایه های عایق برای پدیدارشدن ساختارمکانیکی آن، ساختارهایی روی سطح سیلیکون میسازد(شکل ۱-۱۷).ابعاداین ساختارمیکروماشینکاری شده سطحی میتواندچندین مرتبه کوچکترازساختارهای میکروماشینکاری شده حجمی باشد.

شکل (۱-۱۷) میکروماشینکاری سطحی سیلیکون.

میکروماشینکاری سطحی نیازمند یک گروه همساز و هماهنگ از مواد ساختاری،مواد فداشونده و اچ کننده های شیمیایی است.مواد ساختاری باید دارای خواص مکانیکی خوب از قبیل تنش تسلیم و شکست بالا،خزش و خستگی پایین و همچنین مقاومت سایشی خوب باشندمواد فداشونده نیز باید دارای خواص مکانیکی خوب باشند.
اچ کننده هابرای برداشتن موادعایق بایداچ کردن انتخابی بسیارعالی باشدوآنهابایدقادربه تمام کردن اچ کاری در موادعایق باشندبدون آنکه درموادساختمانی اثرکنند. بعلاوه، اچ کننده هابایدویسکوزیته وویژگیهای کششی مناسبی داشته باشند.سازگارترین موادICکه درمیکروماشینکاری سطحی استفاده شده اندعبارتنداز:

• پلی سیلیسیم/دی اکسیدسیلیکون

• پلی آمید/آلومینیوم

• نیتریدسیلیکون/پلی سیلیسیوم

• تنگستن/دی اکسیدسیلیکون