برای تهیه محلول مادر الیگونوکلئوتید­ها ( M^۴–۱۰)، از محلول بافر فسفات ^[۷۱]PBS))، (فسفات mM 100، _۲ mM MgCl0_/1 ، M NaCl5_/1 ،۵_/۴ PH=) استفاده شد. این محلول در فریزر نگهداری شد. محلول­های پتاسیم هگزاسیانوفرات و پتاسیم هگزاسیانوفریت با غلظتM ۰۱_/۰ بایستی تازه تهیه شود و در یخچال نگهداری گردد. همچنین محلول بافر استات M ۵_/۰ (۸_/۴pH=) حاویM NaCl ۱_/۰ که به عنوان محلول فعال­سازی بوده و به منظور پیش­تیمار الکتروشیمیایی الکترودهای کار استفاده می­شد، بایستی روزانه تازه تهیه می­ شود. محلول داروی تاموکسیفن سیترات به غلظت M^3-10 به عنوان محلول استوک در آب و متانول به نسبت (v/v ۱۵/۸۵) آماده سازی شد و غلظت­های مختلف دارو از محلول استوک تهیه شد. به منظور تهیه محلول DNA دورشته­ای، حجم­های یکسانی از غلظت­های مساوی جفت الیگونوکلئوتیدهای مکمل را درون یک ویال مخلوط کرده و سپس محلول مخلوط شده در دمای С^°۹۰، درون حمام بخار به مدت ۶ دقیقه گرما داده می­ شود و سپس به آن اجازه می­دهیم که به آرامی خنک شود و به دمای محیط برسد [۱۱۹].

( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

۳- ۷- مشخصه­یابی سطح الکترود
برای مطالعه سطح الکترودهای اصلاح شده از روش تصویر برداری میکروسکوپی الکترون روبشی ^[۷۲] (SEM) استفاده می­گردد.
SEM، یکی از مهم­ترین و پرکاربردترین فنون مشخصه­یابی ساختارهای نانو است که برای بررسی ساختار سطحی و اندازه­ مواد نانو بکار می­رود. تکنیک SEM می ­تواند با بمباران الکترونی، از سطح اجسامی به کوچکی ۱۰ نانومتر، تصویر برداری کند. در حین بمباران، الکترون­هایی به سمت صفحه­ی دارای بار مثبت رها می­شوند که سبب ایجاد علامت می­گردند. حرکت پرتو بر روی نمونه­های آزمایشی، مجموعه ­ای از علائم را فراهم می­ کند که بر این اساس، میکروسکوپ می ­تواند تصویری از سطح را بر صفحه­ی کامپیوتر نمایش دهد. همچنین، معمولاً باید سطح نمونه­هایی که با SEM بررسی می­شوند با یک ماده­ هادی الکتریسیته پوشانده شود. در غیر این صورت، الکترونی که به سطح نمونه تابیده می­ شود، دفع نشده، روی سطح باقی مانده و بار ساکن ایجاد می­ کند. الکترون­های بعدی با این بار ساکن دارای بار همنام، برخورد نموده، دفع یا منحرف می­
شوند و در نتیجه تصویر حاصله ناپایدار شده و وضوح آن کاهش می­یابد. از اینرو، معمولاً با نشاندن لایه­ی نازکی از طلا و پلاتین، سطح نمونه­های غیر هادی، هدایت الکترونی پیدا می­ کنند و الکترون­های سطحی دفع شده و مشکل فوق برطرف گردیده و وضوح تصویر نیز بهبود می­یابد.
فصل چهارم
اصلاح الکترود خمیرکربن با نانو ذرات _۲SiO
و کاربرد آن برای اندازه ­گیری الکتروشیمیایی داروی تاموکسیفن سیترات
۴-۱- مطالعه ولتامتری چرخه­ای الکترودهای کار
روش ولتامتری چرخه­ای، به عنوان یک روش ساده برای بررسی­ رفتار الکتروشیمیایی محلول دارای ^-۴/-۳ [_۶(CN). نمودار نایکویست روش طیف­بینی امپدانس الکتروشیمیایی، شامل یک نیم دایره در فرکانس
­های بالا با قطر به اندازه مقاومت انتقال بار (R_ct) و یک خط تقریبا ۴۵ درجه در فرکانس­های پایین می­باشد که این خط راست در فرکانس­های پایین، نشان دهنده رفتار واربرگی، انتقال جرم و نفوذ انتشاری یون­ها از درون محلول به سطح الکترود است. مقاومت انتقال بار، سینتیک انتقال الکترون زوج ردوکس در سطح الکترود را کنترل می­ کند. بنابراین، R_ct می ­تواند به عنوان معیاری جهت ارزیابی ویژگی­های سطح الکترود، استفاده شود. میزان R_ct با اصلاح سطح الکترود و تغییر ماهیت گونه­ های جذب شده بر سطح الکترود تغییر می­ کند. این فن قادر است خواص متفاوتی از لایه مرزی محلول و الکترود، شامل: امپدانس لایه مرزی، ظرفیت لایه دو گانه الکتریکی و مقاومت انتقال الکترون (R_et) در خلال لایه مرزی را اندازه ­گیری کند. در نمودار نایکویست، قطر نیم کره با R_et برابر است. قسمت نیم دایره به فرآیندهای محدود شده با انتقال الکترون و قسمت خطی آن به فرآیندهای کنترل شده با انتشار مربوط می­گردد. هرچه فرایند انتقال الکترون بین محلول و سطح الکترود سریعتر باشد، قسمت خطی، سهم بیشتری در نمودار نایکویست خواهد داشت و برعکس، هرچه سرعت فرایند انتقال الکترون کندتر باشد، سهم قسمت نیم دایره افزایش می­یابد. بنابراین هرچه رسانایی سطح الکترود کمتر شود، انتقال الکترون کندتر و در نتیجه نیم دایره بزرگتر و در واقع قطر آن بیشتر می­­شود. در روش طیف­بینی امپدانس الکتروشیمیایی، محلول پیل الکتروشیمیایی باید دارای زوج اکسنده و کاهنده­ایی باشد که رفتار الکتروشیمیایی کاملاً برگشت پذیر داشته و فرآیندهای اکسایش و کاهش آن با سرعت برابر در سطح الکترود کار انجام گیرد. در واقع پتانسیل تعادل این زوج اکسنده/ کاهنده به دستگاه الکتروشیمیایی اعمال شده و پتانسیل الکترود کار در حین آزمایش ثابت است [۱۲۲]. یکی از گونه­
های الکتروفعال مناسب و قابل دسترس برای بررسی­های طیف بینی امپدانس الکتروشیمیایی، زوج اکسنده/ کاهنده نمک­های هگزانو سیانو فرات پتاسیم ^-۴/-۳[_۶(CN) می­باشد. از تغییرات در قطر نیمدایره امپدانس، می­توان به مقاومت در انتقال بار با الکترود بین گونه الکتروفعال و سطح الکترود کار و در نتیجه به کاهش یا افزایش رسانایی سطح الکترود کار مورد استفاده در سل الکتروشیمیایی پی برد.
شکل ۴-۲– نمودار نایکویست مربوط به الکترود خمیر کربن برهنه (a) و الکترود خمیر کربن اصلاح شده با نانو ذرات _۲SiO (b) در محلولM 01_/0 از زوج اکسنده/کاهنده ]_۶(CN)[Fe₄K/]₆(CN)[Fe₃ Kحاوی NaCl M 1_/0 با سرعت روبش ^۱-s mV 100.
شکل (۴-۲)، نمودار نایکویست ( (aالکترود خمیر کربن برهنه و (b) الکترود خمیر کربن اصلاح شده با نانو ذرات _۲ SiOرا در محلولM 01/0 از زوج اکسنده/ کاهنده ]_۶(CN)[Fe₄K/]₆(CN)[Fe₃ K نشان می­دهد. بطوریکه ملاحظه می­ شود، مقاومت انتقال الکترون بین الکترود و گونه الکتروفعال در سطح الکترود خمیر کربن اصلاح شده با نانو ذرات _۲ SiOنسبت به الکترود خمیر کربن برهنه کمتر است که در شکل این رفتار به صورت کاهش در قطر نیم دایره مشاهده می­گردد.
۴-۳- اثر pH محلول بافر بر رفتار الکتروشیمیایی تاموکسیفن سیترات در سطح /CPE₂NSiO
به منظور مطالعه اثر pH بر رفتار الکتروشیمیایی داروی تاموکسیفن سیترات، محلول‌هایی با pH متفاوت از (۱۱-۲) از بافر فسفات با غلظت M 1_/0 تهیه شد. ولتامتری چرخه­ای تاموکسیفن سیترات در محدوده ۷_/۰ تا ۳_/۱ ولت در سطح /CPE₂NSiO بررسی شد. از شدت جریان دماغه اکسایش تاموکسیفن سیترات در سطح /CPE₂NSiO می­توان به عنوان علامت تجزیه­ای برای اندازه ­گیری ولتامتری تاموکسیفن سیترات در سطح این الکترود استفاده کرد.
–
-۲e
N
N
O
+
-۲H
O
شکل ۴-۳) اکسایش برگشت ناپذیر تاموکسیفن سیترات [۴۲].
در شکل ۴-۴ در ۵_/۴ pH= بالاترین جریان مشاهده شد و بنابراین ۵_/۴ pH= به عنوان pH بهینه انتخاب شد.
شکل ۴-۴– نمودار شدت جریان دماغه اکسایش M ^۵-۱۰ تاموکسیفن سیترات در سطح /CPE₂NSiO بر حسب pH محلول بافر فسفات M 1_/0.
۴-۴- بررسی رفتار الکتروشیمیایی محلول تاموکسیفن سیترات در سطح الکترودهای خمیر کربن اصلاح شده با نانو ذرات _۲ SiO
یکی از اهداف این تحقیق، بررسی امکان بکارگیری الکترود خمیر کربن اصلاح شده با نانو ذرات _۲SiO، به عنوان حسگر الکتروشیمیایی برای اندازه ­گیری ولتامتری تاموکسیفن سیترات می­باشد. برای این منظور، رفتار الکتروشیمیایی محلول M^5-10 تاموکسیفن سیترات در بافر فسفات M 1_/0 با ۵_/۴ pH= دارای M 1_/0 NaCl به روش ولتامتری چرخه­ای سنجیده شد. شکل ۴-۵، ولتاموگرام­های چرخه­ای در محلول بافر فسفات به ترتیب بر روی سطح الکترود خمیر کربن برهنه (منحنیa ) و خمیر کربن اصلاح شده با نانو ذرات _۲ SiO(منحنیb ) نشان می­دهد. همچنین ولتاموگرام چرخه­ای پس از افزایش M^5- ۱۰ از تاموکسیفن سیترات به محلول بافر فسفات ثبت شد. (منحنیC ) مربوط به الکترود خمیر کربن برهنه و )منحنی(d مربوط به الکترود اصلاح شده با نانو ذرات _۲ SiOمی­باشد. با توجه به شکل، پیک اکسایش تاموکسیفن سیترات در V 1_/1 مشاهده می­ شود که با اصلاح سطح الکترود، شدت سیگنال افزایش می­یابد.
شکل ۴-۵– ولتاموگرام­های چرخه­ای الکترود خمیر کربن برهنه (a) و خمیر کربن اصلاح شده با نانو ذرات _۲SiO (b) در محلول بافر فسفاتM 1_/0 با ۵_/۴ pH= دارایM 1_/0 NaCl در سرعت روبش پتانسیل ^۱-s mV 50. © نظیر (a) و (d) نظیر (b) در حضور M ^۵-۱۰ از تاموکسیفن سیترات.
۴-۵- تأثیر سرعت روبش پتانسیل بر رفتار الکتروشیمیایی تاموکسیفن سیترات در سطح /CPE₂NSiO
به منظور بررسی اثر سرعت روبش پتانسیل بر جریان دماغه) i_p) و پتانسیل دماغه (E_p) تاموکسیفن، ولتاموگرام­های چرخه­ای تاموکسیفن M ^۵-۱۰ در محلول بافر فسفات M 1_/0 (5_/4 =pH) دارایNaCl M 1_/0 در سرعت­های روبش پتانسیل مختلف: a) 5 ،b ) 10،c ) 25،d ) 50،e ) 100، f) 150،g )200، h)300، i)400 میلی ولت بر ثانیه در سطح الکترود خمیر کربن اصلاح شده با نانو ذرات _۲SiO ثبت شد. همانطوری که در شکل ۴-۶- الف) مشاهده می­ شود، پتانسیل و جریان دماغه­های ولتاموگرام چرخه­ای تاموکسیفن کاملا تحت تاثیر سرعت روبش پتانسیل می­باشد. با افزایش سرعت روبش پتانسیل، جریان دماغه­های اکسایشی افزایش یافته و به سمت پتانسیل­های مثبت­تر جابجا می­شوند که این امر نشان دهنده وجود محدودیت سینیتیکی در فرایند انتقال بار می­باشد.
g
a
شکل ۴-۶– الف) ولتاموگرام­های چرخه­ای محلول M ^۵-۱۰ از تاموکسیفن سیترات در محلول بافر فسفات M 1/0 با ۵_/۴PH= دارای M 1/0 NaClدر سرعت­های روبش پتانسیل مختلف: a) 5 ،b ) 10،c ) 25،d ) 50،e ) 100، f) 150،g )200، h)300، i)400میلی ولت بر ثانیه در سطح الکترود خمیر کربن اصلاح شده با نانو ذرات _۲SiO . ب) نمودار تغییرات شدت جریان دماغه آندی بر حسب سرعت روبش پتانسیل (نتایج از ولتاموگرام­های چرخه­ای (الف) بدست آمده­اند).
در شکل ۴-۶- ب) نمودار تغییرات شدت جریان دماغه­های آندی بر حسب جذر سرعت روبش پتانسیل رسم گردید. رابطه خطی بین شدت جریان دماغه­های آندی و جذر سرعت روبش پتانسیل در سرعت­های روبش mV s^-1 ۵ تا mV s^-1 ۴۰۰ نشان دهنده انتشاری بودن فرایند اکسایش تاموکسیفن در سطح الکترود خمیر کربن برهنه می­باشد.
۴-۶- تعیین محدوده خطی غلظتی تاموکسیفن سیترات و حد تشخیص^[۷۳] روش:
حد تشخیص کمترین غلظتی از گونه آزمایشی مورد نظر است که با سطح اطمینان معین توسط یک روش تجزیه­ای قابل اندازه ­گیری است که به صورت زیر تعریف می­ شود [۱۲۳]: