فصل ششم
جمع بندی
۶-۱ نتیجه گیری

• به دلیل ماهیت غیر خطی و وابستگی جابجایی به نیروی الکترواستاتیک، افزایش ولتاژ اعمال شده ساختار را به یک حالت ناپایدار موسوم به pull-in هدایت می کند. همانطور که نشان داده شد، تئوریهای کلاسیک و غیر کلاسیک نتایج کاملا متفاوتی برای پیش بینی حدود پایداری ارائه دادند. به طوریکه افزایش درصد سرامیک ماده در CT منجر به افزایش ولتاژهای ناپایداری میشود ولی در MCST عکس این اتفاق رخ داده و تیر سریعتر ناپایدار می شود. به طور کلی میتوان ادعا کرد که با در نظر گرفتن پارامتر طول مشخصه ی ماده، سفتی معادل افزایش

  ( اینجا فقط تکه ای از متن پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

  می یابد.

• افزایش تغییرات دمایی در غیاب نیروهای الکترواستاتیک، هیچ تاثیری بر پایداری نداشته، و خیز آن به طور خطی با تغییرات دما تغییر می کند. در مقابل ایجاد تغییرات دمایی، با افزایش درصد سرامیک ماده، رفتار خطی میکروتیر برای هر دو تئوری کلاسیک و غیر کلاسیک با شدت بیشتر تغییر می کند. همچنین نشان داده شد با بکارگیری MCST در استخراج معادلات ساختاری مقادیر دماهایی که موجب برخورد نوک میکروتیر FG به الکترود ثابت می شود افزایش می یابد. در نهایت اینکه میکروتیر همگن هیچ واکنشی نسبت به تغییرات دمایی نشان نمی دهد، چراکه برای این نوع تیر ممان حرارتی صفر است.

• بر طبق نتایج بدست آمده، اعمال ولتاژ استاتیکی به میکروتیری که توسط تغییرات دمایی خم شده است باعث میشود که ولتاژ ناپایداری کششی سریعتر از حالتی اتفاق بیفتد که تغییرات دمایی نداشته باشیم. از طریق چنین نمودارهایی می توان دمای منابع را ارزیابی کرد.

• در حالت اعمال ولتاژ پله dc، سیستم محتمل ناپایداری خاصی به وسیله ی دو شاخگی هموکلینیک در ولتاژ بحرانی به نام ولتاژ pull-in دینامیکی می شود که این ولتاژ مستقل از درصد سرامیک ماده حدود ۹۲ درصد ولتاژ pull-in استاتیکی است.

۶-۱ پیشنهادات برای کارهای آینده

• بکارگیری تئوریهای مراتب بالاتر از تئوری اصلاح شده ی تنش کوپل، از جمله تئوری تنش کوپل (گرادیان کرنش الاستیسیته) و مقایسه ی نتایج.

• بررسی اثرات محیطی مانند رطوبت، میرایی ویسکوز، شوک، گرد و غبار و … بر عملکرد سیستم و دقت نتایج.

• در نظر گرفتن اثر میرایی داخلی (Thermo elastic damping) در معادلات حرکت به منظور افزایش دقت.

مراجع
[۱] Yang F., Chong A.C.M., Lam D.C.C., et al (2002). Couple stress based strain gradient theory for elasticity, International Journal of Solids and Structures 39 (10) 2731-2743.
[۲] Nathanson, H.C., Newell W.E., Wickstrom R.A. and Davis J.R. )1967(. The Resonant Gate Transistor, IEEE Trans. on Electron Devices, )14( 117-133.